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SYSTÈMES DE GRAVURE PAR PLASMA

Plasmionique propose différents réacteurs plasmas dédiés aux applications de nettoyage, gravure, dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition-PECVD) et synthèse de matériaux nanostructurés. Ces processus impliquent des plasmas DC, HF, RF ou micro-ondes, dans des régimes atmosphériques ou à basse pression.

La différence entre la gravure par plasma et le PECVD réside dans les processus chimiques régissants les interactions plasma-surface. Dans le processus de gravure, les réactions chimiques avec la surface du substrat entraînent l'éjection de molécules volatiles qui sont pompées. Dans les applications PECVD, les réactions chimiques entre les radicaux, créés par le plasma, et la surface du substrat engendrent la formation d'un sous-produit solide qui croît en couche mince.

La Série FLARION-RF
Systèmes de gravure (et réacteurs CVD)

Les réacteurs plasmas de la série FLARION-RF sont proposés en configuration Plasma à couplage capacitif (CCP) ou Plasma à couplage inductif (ICP). Les procédés de gravure ou procédé PECVD sont mis en oeuvre en utilisant des gaz, ou des précurseurs, ayant des radicaux chimiquement réactifs.

Les plasmas à couplage capacitif  (CCP) dans des réacteurs de gravure sont générés entre deux électrodes parallèles. Les réacteurs CCP sont les systèmes plasmas les plus utilisés dans la gravure sèche. La puissance est appliquée à l'électrode inférieure (Reactive Ion Etching, RIE) ou à l'électrode supérieure (Plasma Etching, PE). Les réacteurs CCP sont souvent alimentés par une puissance radio-fréquence oscillant à 13,56 MHz. L'électrode inférieure constitue le porte-substrat. L'électrode supérieure à souvent la forme d'une pomme de douche pour assurer une injection de gaz uniforme.

Les plasmas à couplage inductif (ICP) sont générés en couplant le champ RF d'une antenne en forme de bobine au plasma via une fenêtre diélectrique. L'antenne est à l'atmosphère et forme une spirale plate. La fenêtre diélectrique est souvent en quartz ou en alumine. 

Dans les réacteurs ICP, le porte-substrat est souvent polarisé afin de contrôler indépendament la densité du plasma et l'énergie des ions bombardant le substrat. Cette fonction est requise pour la gravure ionique réactive profonde (DRIE).

FLRIE600.png
La Série MIRENIQUE-MW
Réacteurs PECVD et PE-ALD

Les réacteurs plasmas de la série MIRENIQUE-MW utilisent divers modes de couplage micro-ondes pour générer un plasma. Ces modes de couplage comprennent les mécanismes suivants : cavité monomode,  cavité multimode, ondes stationnaires, ondes de surface et de résonance cyclotronique électronique (ECR).

 

Pour les opérations à basse pression (mbar ou moins), le mode ECR offre le couplage le plus efficace. D'autres mécanismes de couplage peuvent être utilisés pour produire un plasma pour des gammes de pression plus élevées pouvant atteindre la pression atmosphérique.  

FLRIE300M.png
Capacitive coupling, plasma, Parallel plate Plasma Reactor
ECR plasma
Inductively coupled plasma reactor, ICP
ECR plasma
Microwave plasma
MW-plasma CVD, Diamond Synthesis
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