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RÉACTEURS À BASE DE CVD

Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est un processus dans lequel les réactions chimiques des radicaux gazeux forment des molécules solides qui se déposent sur une surface. Dans le procedé CVD amélioré par plasma (PECVD), le plasma contribue à la production de radicaux à partir de précurseurs de gaz (ou de vapeur) qui réagissent pour former les molécules solides qui se déposent (généralement) sur une surface chauffée. Les avantages du plasma consistent dans la réduction de la température requise de la surface et la modulation de la densité du plasma peut servir d'outil pour contrôler la structure du film déposé. Les procédés CVD sont des procédés de revêtement conforme et permettent le dépôt sur des structures ayant une topographie 3D.

La Série FLARION
CVD, MOCVD et ALD Reactors

Les réacteurs basés sur CVD sont configurés en tant que réacteurs "à parois chaudes" ou "à parois froides". Le contrôle de la température des parois permet la prévention ou la minimisation de la condensation des vapeurs sur les parois du réacteur. Le substrat ou les porte-pièces sont chauffés à une température suffisamment élevée pour optimiser la désintégration moléculaire des gaz et vapeurs et la formation réactive de revêtements solides.

 

Les réacteurs CVD à métal-organique (MOCVD) utilisent des précurseurs métallo-organiques comme principale source réactive dans le processus CVD. 

 

Le dépôt de couche atomique (ALD) est essentiellement un processus CVD pulsé dans lequel la réaction a lieu typiquement à la suite de deux impulsions successives de deux précurseurs réactifs et de gaz ou de vapeurs. Cela permet un contrôle de la croissance de la couche à une échèlle atomique.

Série FLARION (amélioré par plasma)
PECVD et PE-ALD Reactors

Les réacteurs PECVD, comme leurs homologues CVD, sont configurés en tant que réacteurs "à paroi chaude" ou "à paroi froide". Le substrat ou les porte-pièces sont généralement chauffés à une température suffisamment élevée (qui est inférieure à celle d'un système CVD standard en raison de la contribution du plasma à la formation de radicaux) et polarisés (dans le cas d'un plasma à couplage capacitif) pour favoriser la désintégration moléculaire des gaz et des vapeurs et la formation réactive de revêtements solides.

FLR600_PlasmaTumbler.png
CVD-Poly-C.png
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